Компания Samsung запустила в массовое производство новое, уже девятое поколение памяти V-NAND. Производитель заявляет, что новое поколение памяти имеет на 50% более высокую плотность по сравнению с восьмым поколением. В новом поколении производителю удалось на 33% увеличить скорость ввода/вывода данных, теперь она составляет 3.2 Гбит/с. Также удалось добиться снижения энергопотребления на 10%. Samsung уже начала массовое производство памяти V-NAND TLC емкостью 1 ТБ. Новая память найдет применение в высокопроизводительных твердотельных накопителях высокой емкости, потребность в которых формируется в том числе на фоне растущего интереса к применению искусственного интеллекта.
