Компания Samsung объявила о разработке первого в отрасли модуля DRAM с самой высокой ёмкостью на сегодняшний день. Модуль памяти HBM3E 12H с 12-слойным стеком обеспечивает самую большую ёмкость в 36 ГБ, компании удалось на 50% увеличить объём памяти в сравнении с 8-стековым модулем HBM3 8H. Новый модуль демонстрирует пропускную способность до 1280 ГБ/с. Новинка будет востребована у компаний, работающих в области искусственного интеллекта, где требуются модули с большой ёмкостью. Samsung смогла добиться такой же высоты модуля, как и у решения предыдущего поколения, за счет более плотной упаковки. Новые модули в случае применения в системах обработки задач искусственного интеллекта могут привести к увеличению скорости обучения моделей ИИ на 34%. Samsung запустит массовое производство новых модулей памяти в первой половине этого года.
