Компания Samsung анонсировала четвертую версию флеш-памяти Universal Flash Storage для мобильных устройств — UFS 4.0. Если коротко, разработчики обещают значительный прирост скорости и энергоэффективности, что особенно важно в эпоху 5G. А теперь подробнее. Стандарт UFS 4.0 обеспечит пропускную способность до 23,2 Гбит/с на линию, что вдвое больше, чем у UFS 3.1. Технология Samsung V-NAND 7-го поколения поддерживает скорости последовательного чтения до 4200 МБ/с и последовательной записи до 2800 МБ/с, что также значительно выше, чем при использовании UFS 3.1. При этом энергоэффективность также возросла: в Samsung заявляют улучшение на 46% по сравнению с UFS 3-го поколения, что означает увеличение скорости последовательного чтения на 6 МБ/с при затратах 1 мА потребляемого тока.
Хранилища UFS 4.0 будут иметь емкость до 1 ТБ. Ожидается, что смартфоны Samsung Galaxy S23, Galaxy Z Fold 4 и Galaxy Z Flip 4 станут первыми устройствами, оснащенными накопителями стандарта UFS 4.0. По данным ресурса Sammobile, массовое производство чипов памяти стандарта UFS 4.0 начнется в третьем квартале 2022 года.
