Samsung Electronics объявила о начале поставок первых в полупроводниковой индустрии тестовых образцов 12-слойной памяти типа HBM4E ключевым глобальным партнерам. Выпуск этой модификации последовал за стартом массового производства базовой версии HBM4 в начале текущего года. Свежая разработка призвана удовлетворить быстрорастущие потребности вычислительных платформ, ориентированных на генеративный искусственный интеллект и крупномасштабные серверные инфраструктуры. Представители разработчиков отмечают, что запуск новой конфигурации укрепит позиции бренда в полупроводниковом секторе.
Представленные компоненты обеспечивают стабильную скорость передачи данных на уровне 14 Гбит/с на контакт с потенциалом масштабирования характеристик до 16 Гбит/с при интенсивных нагрузках. Этот показатель превышает параметры стандартной HBM4 более чем на 20%. Пропускная способность одного стека достигает 3,6 ТБ/с, помогая оптимизировать обработку массивов данных в крупных языковых моделях. Тестовая 12-слойная версия обладает емкостью 48 ГБ, что на 30% выше возможностей модулей прошлого поколения. В дальнейшем планируется расширение линейки модификациями на 32 ГБ из 8 слоев и на 64 ГБ из 16 слоев.
При создании новинки задействован техпроцесс DRAM 6-го поколения класса 10 нм и 4-нанометровый логический базовый кристалл собственного литейного производства. Оптимизация архитектуры позволила снизить потребление энергии на 16% и улучшить тепловое сопротивление более чем на 14% по сравнению с предшествующими версиями микросхем. Подобные изменения способствуют эффективному рассеиванию тепла в серверных стойках дата-центров.
