Компания Samsung Electronics продемонстрировала работу оперативной памяти на основе ячеек MRAM (магниторезистивная память с произвольным доступом). Данный вид памяти найдет широкое применение в системах вычислений на основе искусственного интеллекта следующего поколения. Для объяснения значимости внедрения MRAM следует рассказать о базовых моментах работы памяти в электронных устройствах. В стандартной компьютерной архитектуре данные хранятся в микросхемах памяти, а вычисления выполняются в отдельных блоках процессора. При этом память и процессор обмениваются данными по специальной шине, что может стать «бутылочным горлышком» всей системы.
В свою очередь, в MRAM используется схема «вычисления в памяти», то есть хранение данных и все расчеты выполняются в самих ячейках MRAM. Такой подход позволяет обрабатывать большой объем данных без необходимости их перемещения, что значительно повышает скорость вычислений при пониженном энергопотреблении. Это главные факторы, на которые будут опираться полупроводниковые микросхемы следующего поколения. Появление коммерческих образцов на основе ячеек MRAM ожидается в ближайшее время.
