Samsung Electronics Co. запустила массовое производство 3-нанометровых чипов, которые являются более мощными и эффективными, чем их предшественники, сообщает издание Bloomberg. Тем самым южнокорейская компания опередила своего конкурента Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) в ключевой гонке за создание самых передовых чипов в мире. Крупнейшая южнокорейская компания начнет с 3-нм полупроводников для высокопроизводительного и специализированного вычислительного оборудования с низким энергопотреблением, а затем перейдет на мобильные процессоры, говорится в заявлении, сделанном в четверг.
Применяя так называемую архитектуру транзисторов Gate-All-Around, 3-нм продукты Samsung снижают энергопотребление до 45% и повышают производительность на 23% по сравнению с 5-нм чипами. Samsung будет производить 3-нм чипы на своих предприятиях в Хвасоне и, как ожидается, запустит их производство также на своем новейшем заводе в Пхёнтхэке. Массовое производство 3-нм чипов от тайваньского производителя микросхем начнется во второй половине года, сообщила TSMC.
