Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о расширении своего портфолио DDR5 DRAM модулей памяти первым в отрасли модулем DDR5 емкостью 512 ГБ, основанным на техпроцессе HKMG (High-K Metal Gate). Новый модуль DDR5 обеспечивает более чем вдвое большую производительность, чем DDR4, со скоростью передачи данных до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с).
Используя технологию сквозных кремниевых межсоединений (TSV), DDR5 от Samsung объединяет в стек до восьми слоев микросхемы DRAM объёмом по 16 Гбайт, обеспечивая максимальную емкость – 512 Гбайт. TSV впервые был использован в DRAM в 2014 году, когда Samsung представила серверные модули емкостью до 256 ГБ.