Южнокорейская компания Samsung Electronics представила свою новейшую радиочастотную технологию, основанную на 8-нанометровом техпроцессе.
Ожидается, что эта передовая технология для микроэлектронного производства ляжет в основе «Системы на кристалле», в частности, для 5G связи с поддержкой многоканальных и многоантенных микросхем. Также в Samsung ожидают, что их 8-нм РЧ-платформа укрепит лидерство компании на рынке 5G полупроводников, предназначенных для работы в диапазонах от sub-6 ГГц до mmWave.
В отличие от цифровых микросхем, которые постоянно совершенствуются по производительности, энергопотреблению и занимаемой площади, аналоговые радиоблоки не получили такого улучшения из-за наличия паразитных элементов, таких повышенное сопротивление из-за узкой ширины печатных проводников. В результате, у большинства микросхем для радиосвязи наблюдается тенденция к ухудшению радиочастотных характеристик, таких как ослабление приема и повышенное энергопотребление.
Чтобы преодолеть проблемы аналого-радиочастотного масштабирования, Samsung разработала уникальную архитектуру, для производства 8-нм РЧ чипов, под названием RFextremeFET (RFeFET), которая может значительно улучшить радиочастотные характеристики при меньшем энергопотреблении.