Компания Samsung начала массовое производство памяти для смартфонов на основе UFS. Компания объединила самую быструю память LPDDR5 DRAM и флеш-память UFS 3.1 NAND в одном чипе. Использование одного чипа позволит сократить энергопотребление, использовать хранилища большей ёмкости и увеличит быстродействие системы. Благодаря такому решению производительность DRAM может быть повышена почти на 50%, с 17 ГБ/с до 25 ГБ/с, что особенно важно в играх с интенсивным использованием графики и в решениях, нацеленных на применение дополненной реальности. При использовании флеш-памяти NAND также будет обеспечен двукратный рост производительности, с 1.5 ГБ/с до 3 ГБ/с. Новые чипы будут применяться в устройствах среднего и высокого класса и позволят сделать функциональность 5G-устройств доступной для более широкого круга пользователей смартфонов.
