Ожидается, что Samsung Electronics Co. объявит о массовом производстве 3-нанометровых полупроводников на следующей неделе, опередив своего конкурента TSMC, сообщает корейский портал Yonhap News Agency со ссылкой на собственные источники. 3-нм чипы следующего поколения будут построены на технологии Gate-All-Around (GAA), которая позволит уменьшить площадь до 45 процентов, обеспечивая при этом повышение производительности на 30 процентов и снижение энергопотребления на 50 процентов по сравнению с существующими техпроцессом.

Южнокорейский технологический гигант продемонстрировал свои 3-нм чипы президенту США Джо Байдену в прошлом месяце, когда он посетил комплекс Samsung в Пхёнтхэке, крупнейший в мире завод по производству полупроводников, расположенный примерно в 70 километрах к югу от Сеула. При этом, TSMC — крупнейший контрактный производитель чипов — заявил, что начнет массовое производство 3-нм чипов во второй половине 2022 года.