В ходе конференции IEDM в Сан-Франциско компании Samsung и IBM сообщили, что объединят усилия для разработки и внедрения новой технологии создания микрочипов. Технология, получившая название VTFET, призвана преодолеть наметившиеся ограничения по увеличению плотности транзисторов в нынешнем поколении микросхем. Для этого будет использоваться вертикальное расположение транзисторов, что позволит увеличить плотность их размещения, а также должно привести к повышению энергоэффективности и росту производительности. Как утверждают компании Samsung и IBM, применение новой технологии может обеспечить двукратный рост производительности, при этом такие чипы будут потреблять энергии на 85% меньше. Как прогнозируется, в будущем применение подобных технологий позволит обеспечить продолжительность работы смартфонов от одной зарядки до одной недели.