Компания Samsung на выставочном мероприятии Future of Memory and Storage 2026 в Санта-Кларе 5 августа 2026 года показала решения в области памяти для систем искусственного интеллекта. Представители подразделения компании изложили стратегию развития 3D-структур в микросхемах хранения данных. В число ключевых анонсов вошли концептуальные модели zHBM и zNAND-O, архитектура V10 BV-NAND с более чем 400 слоями, а также чипы для ускорения серверных вычислений. Всего на стенде демонстрировалось порядка 30 профильных технологических разработок.
Концепция zHBM предусматривает вертикальную сборку стека HBM над процессором искусственного интеллекта вместо размещения на общей подложке. Сокращение дистанции передачи данных повышает скорость обмена и снижает энергопотребление. По расчетам специалистов, такой интерфейс в восемь раз превосходит показатели HBM5. Использование технологии соединения пластин увеличивает плотность памяти более чем в 10 раз, снижает потребление энергии в три раза и уменьшает тепловое сопротивление наполовину. Архитектура zHBM также позволяет интегрировать индивидуальные блоки в промежуточный слой.
Для локальных вычислений представлена память zNAND-O с низкой задержкой, создаваемая в версиях с четырьмя и восьмью слоями. Архитектура V10 BV-NAND использует технологию соединения кристаллов и содержит свыше 400 слоев. Это позволило поднять плотность хранения информации на 58% в сравнении с прошлым поколением V-NAND, улучшив показатели скорости чтения и записи.
Samsung также продемонстрировала образцы HBM4E, отгрузка которых клиентам началась в мае 2026 года после массового выпуска HBM4 по 4-нанометровому техпроцессу. На мероприятии были представлены модули LPDDR5X-PIM с вычислениями внутри памяти и накопители PM1763 для центров обработки данных.
