Samsung объявила о завершении разработки флеш-памяти стандарта Universal Flash Storage (UFS) 5.0. Данное решение ориентировано на работу с алгоритмами генеративного искусственного интеллекта непосредственно на мобильных устройствах. Интеграция свежих интерфейсов JEDEC позволила добиться пропускной способности до 10,8 ГБ/с. Скорость последовательного чтения у новинки достигает 10,8 ГБ/с, скорость последовательной записи составляет до 9,5 ГБ/с. Эти параметры более чем в два раза превышают показатели предыдущего стандарта UFS 4.1, существенно сокращая время отклика при запуске локальных языковых моделей.
Помимо прироста скорости, удалось снизить энергопотребление накопителя на 40% по сравнению с решениями прошлого поколения. Снижение расхода энергии достигается благодаря внедрению технологий многозонного питания и динамического отключения тактовых сигналов при простое. Меньшие энергозатраты на передачу аналогичных объемов данных позволят заметно продлить время автономной работы будущих смартфонов и носимой электроники.
Физические габариты модуля памяти UFS 5.0 уменьшились на 16,7% относительно предшественника. Сверхкомпактная подложка имеет размеры 7,5 х 13 х 0,9 мм. Подобное исполнение облегчает компоновку внутренних элементов внутри корпуса и освобождает полезное пространство для других компонентов в смартфонах, смарт-часах и гарнитурах смешанной реальности. Массовое производство микросхем начнется в четвертом квартале текущего года. Накопители будут выпускаться в нескольких модификациях, включая версии емкостью до 1 ТБ.
