Qualcomm, уже запустившая производство своего флагманского чипа Snapdragon 8 Elite Gen 5 на 3-нм техпроцессе TSMC (N3P), вызвала волнение в полупроводниковой индустрии. По последним слухам и отчетам южнокорейских СМИ, компания начала получать тестовые образцы того же самого чипа, но изготовленные уже на новейшем 2-нм техпроцессе Samsung Foundry (SF2).
Этот шаг Qualcomm является классическим примером двойного источника поставок (dual-sourcing), который решает сразу две стратегические задачи. Во-первых, он страхует компанию от возможных сбоев в производстве у основного поставщика (TSMC). Во-вторых, что более важно, он дает Qualcomm огромный рычаг давления в переговорах о ценах. Сообщается, что Samsung агрессивно снижает стоимость своего 2-нм производства, чтобы переманить крупных клиентов и подорвать доминирование TSMC. Эта конкуренция, как ожидается, приведет к появлению более качественных и доступных чипов для конечных потребителей.
Ключевое технологическое различие между образцами кроется в архитектуре. В то время как TSMC использует свой новейший 3-нм FinFET, чип от Samsung построен на 2-нм технологии GAA (Gate-All-Around). Технология GAA считается более продвинутой и обеспечивает лучший контроль, что потенциально ведет к повышению производительности при меньшем энергопотреблении. Ожидается, что на этом же 2-нм техпроцессе будет производиться и будущий чип Samsung Exynos 2600 для серии Galaxy S26.
Для победы в схватке Samsung необходимо доказать, что их 2-нм процесс обеспечивает стабильно высокий процент выхода годной продукции. Если компания справится с этой задачей, она сможет радикально изменить расстановку сил на рынке флагманских мобильных чипов.
