TSMC раскрывает детали по 3-нм технологическому процессу

Лидер на рынке производства микрочипов компания TSMC раскрыла некоторые подробности об особенностях своих микрочипов, изготовленных по 3-нм технологическому процессу. Так, по информации компании, плотность транзисторов на таком чипе достигнет рекордных показателей в отрасли и составит 250 млн/мм2, что демонстрирует в 3.6 раза более высокую плотность, чем у существующих 7-нм чипов. Для примера: чип Kirin 990 5G, изготовленный по 7-нм технологическому процессу, имеет 10.3 млрд транзисторов, что при его площади обеспечивает плотность транзисторов в 90 млн/мм2. Переход на производство чипов по 5-нм технологическому процессу обеспечит рост производительности на 10-15% выше по сравнению с 7-нм процессом и уменьшит энергопотребление на 25-30%. В тоже время сообщается, что 3-нм чипы обеспечат прирост производительности еще на 5%, но при этом их энергопотребление возрастет. Компания TSMC сообщает, что график работ по 3-нм технологическому процессу идет по плану, и компания начнет массовое производство таких чипов во второй половине 2022 года.