Следующий флагман Samsung получит 5-нм чипсет

18:50, 15 мая. Автор:

Компания Samsung на данный момент один из лидеров отрасли по производству наиболее передовых транзисторных платформ, что выражается в том числе и внедрением самых современных чипсетов в мобильные телефоны. И, похоже, что компания готова к взятию нового рубежа технологий — освоению техпроцесса в 3-нм. Это, впрочем, не означает, что уже следующее поколение флагманов Samsung получит платформу со скачком технологии с 7 нм до 3 нм. Сегодня представители компании сообщили об освоении технологии 3-нм печати Gate-All-Around (GAA) или же 3GAE. Потенциальный выигрыш от таких чипсетов 50% экономичность потребления энергии, 30% рост производительности и 45% сокращение физических размеров. В апреле исходные данные по этому производству были переданы партнерам Samsung, занятыми разработкой чипсетов. Но ожидаемый компанией роадмап несколько более консервативен. К осени текущего года в производстве будут освоены 6-нм чипсеты. В первой половине 2020 года — 5-нм, к середине 2020 года — 4-нм, а 3-нм реально запустить производство ближе к концу 2020-го. Так что получается, что Galaxy S11 может рассчитывать на 5-нм чипсет, а Galaxy Note 11 может стать эксклюзивным предложением на рынке с 3-нм чипсетом, если в Samsung будет принято решение добиться как можно более раннего запуска печати таких процессоров. Насколько в реальности сложной окажутся новые архитектуры процессоров в Samsung вряд ли могут сказать прямо сейчас, но то, что проблема преодоления барьера в 5-нм, о которой несколько лет назад говорили руководители компании, решена — уже можно сказать наверняка.

Evolution-of-Transistor-Archtecture_MBCFET