Samsung приступила к массовому производству высокоскоростной флэш-памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ

12:14, 27 февраля. Автор:

Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флэш-памяти (eUFS) 3.0 емкостью 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения. В соответствии с новейшей спецификацией eUFS 3.0, данный модуль памяти от Samsung обеспечивает вдвое большую скорость в сравнении с предыдущим поколением флэш-памяти eUFS (eUFS 2.1).

eUFS_512GB-USB3

512 ГБ модуль памяти eUFS 3.0 от Samsung состоит из восьми 512-гигабитных (Гбит) V-NAND кристаллов пятого поколения с интегрированным высокопроизводительным контроллером. Новый eUFS обеспечивает скорость передачи данных в 2100 мегабайт в секунду (МБ/с), удваивая скорость последовательного чтения самой последней памяти eUFS от Samsung (eUFS 2.1), анонсированной в январе. Скорость чтения у нового решения в четыре раза выше, чем у твердотельного накопителя SATA (SSD), и в 20 раз быстрее, чем у обычной карты microSD, что позволяет смартфонам премиум-класса передавать Full HD фильмы на ПК примерно за три секунды. Кроме того, скорость последовательной записи также была увеличена на 50 процентов до 410 МБ/с, что эквивалентно скорости SATA SSD.

Скорость произвольного чтения и записи в новой памяти достигает 36-процентного роста в сравнении с текущей отраслевой спецификацией eUFS 2.1 и составляет 63 000 и 68 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно. Благодаря значительному увеличению числа операций случайного чтения и записи, которые более чем в 630 раз быстрее, чем у обычных карт microSD (100 IOPS), можно одновременно запускать несколько тяжелых приложений, одновременно обеспечивая лучшее время отклика.

Кроме того, компания Samsung планирует выпустить модули памяти eUFS 3.0 объемом 1 ТБ и 256 ГБ во второй половине 2019 года.