Samsung Electronics начинает строительство еще одной линии по производству памяти V-NAND

14:10, 1 июня. Автор:

Компания Samsung Electronics объявила о планах расширения мощностей по производству флэш-памяти NAND в Пхёнтхэке, Южная Корея. Строительство, начатое в мае этого года, должно быть завершено во второй половине 2021 года. «Данные инвестиции еще раз подтверждают нашу готовность поддерживать лидерство в области технологий памяти, даже в эти смутные времена», — заявил Чхоль Чой, исполнительный вице-президент по глобальным продажам памяти в компании Samsung Electronics. В Samsung считают, что в эпоху Четвертой промышленной революции, основанной на ИИ, интернете вещей и 5G, флэш-память типа NAND будет играть ведущую роль, так что наращивание производственных мощностей как никогда актуально.

Компания Samsung Pyeongtaek Campus, основанная в 2015 году, занимается производством чипов памяти на двух крупнейших в мире производственных линиях. Одним из последних нововведений производителя является флеш-память V-NAND шестого поколения (1xx-layer), представленная в июле прошлого года. С хронологией серийного производства разных типов флеш-памяти Samsung можно ознакомиться ниже.

Samsung-nand