Samsung анонсирует чипы памяти DRAM с использованием технологии 10 нм EUV

13:34, 25 марта. Автор: Источник: Sammobile

В компании Samsung объявили, что начинают массовое производство первых в отрасли модулей памяти DRAM на основе технологии 10 нм EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете). Данные модули DRAM DDR4 будут использоваться не только в компьютерах и смартфонах, но также в центрах обработки данных и корпоративных серверах.

Технология обеспечивает лучшее масштабирование и повышение точности формирования литографического рисунка по сравнению с технологией FinFET. Все это дает повышение производительности модулей памяти и сокращает время их производства. На первом этапе 10 нм технология EUV будет использоваться для производства оперативной памяти LPDDR4X для смартфонов и ноутбуков, а также оперативной памяти DDR4 для ПК. Во второй половине 2020 года Samsung начнет использовать эту же технологию для производства модулей оперативной памяти LPDDR5 и DDR5.

samsaung-10nm-euv-dram